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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9953TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9953TR价格参考。International RectifierIRF9953TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9953TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9953TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF9953TR是一款P沟道增强型MOSFET阵列器件,常用于需要高效功率控制的电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能,适用于多种电源管理和功率转换应用。 IRF9953TR的主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)中,实现高效的能量传输与分配。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中,用于控制电机的启停与方向,常见于电动工具、家电和自动化设备。 3. 负载开关与电源分配:作为高侧或低侧开关,控制电源对负载的供给,适用于服务器、工业控制设备和通信设备中的电源管理模块。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗、门锁控制)等对可靠性要求较高的场景。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中,用于电源管理及外围设备的开关控制。 由于其集成多个MOSFET于单一封装中,IRF9953TR有助于减少PCB空间、简化设计并提升系统效率,适合对空间和性能都有要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF9953TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 1A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |