Datasheet下载- 型号： SI1034X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1034X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1034X-T1-E3价格参考。VishaySI1034X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1034X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1034X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1034X-T1-E3是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双通道配置，广泛应用于需要低电压、低功耗开关控制的便携式电子设备中。该器件具有-20V的漏源电压（VDS）和-5.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻低（典型值约28mΩ），适合高效能电源管理设计。 SI1034X-T1-E3常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中的电源开关、负载切换和电池管理电路。其P沟道特性使其在高边开关应用中无需额外电荷泵电路，简化了设计并降低成本。此外，该器件也适用于热插拔控制器、DC-DC转换器的同步整流以及各类电源冗余系统。 由于采用小型化封装（如PowerPAK SO-8双模封装），SI1034X-T1-E3具备优良的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。其快速开关响应和低栅极电荷特性进一步提升了系统效率，减少开关损耗。 总体而言，SI1034X-T1-E3适用于对尺寸、功耗和可靠性要求较高的工业控制、通信模块和便携式电源管理系统，是现代低电压、高效率电源设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 180MA SOT563F |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1034X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1034X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA |
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