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产品简介:
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型号为FDS6961A_F011的ON Semiconductor产品是一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效、低功耗开关控制的场合。该器件包含多个MOSFET晶体管集成在一个封装中,通常采用N沟道或P沟道结构,适用于中低功率的电源管理和负载切换应用。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和电源开关电路中,实现高效的能量传输和分配。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关,控制不同模块的供电,延长电池寿命。 3. 电机控制:用于小型电机或步进电机的驱动控制,实现精确的启停和方向切换。 4. LED照明:用于LED驱动电路中,实现亮度调节和电流控制。 5. 工业自动化:在PLC或工业控制设备中作为高频率开关元件,控制继电器、传感器等外围设备。 6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、便携式充电设备等,用于内部电源路径管理。 该器件封装小巧,适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和可靠性,适用于多种中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDS6961A_F011 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A |