Datasheet下载- 型号： FDFMA2P029Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA2P029Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA2P029Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDFMA2P029Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFMA2P029Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFMA2P029Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFMA2P029Z 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用。该器件适用于需要高效能和小型封装的场合，如便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器以及各类低电压控制电路。 此MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。其应用场景主要包括： 1. 电源管理：用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源切换与分配。 2. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制外围设备的供电，实现节能与隔离功能。 3. DC-DC转换器：在同步整流电路中使用，提高转换效率。 4. 电机控制与继电器驱动：适用于小功率电机或继电器的开关控制。 5. 工业自动化设备：用于传感器、执行器等低压控制电路中。 由于其采用小型封装，适合对空间要求较高的设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于一般工业及消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLPMOSFET -20V P-Channel PT MFET SCHOTTKY |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.1 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA2P029ZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDFMA2P029Z |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 其它名称 | FDFMA2P029ZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 40 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 95 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | - 11 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | - 3.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A （Ta） |
| 系列 | FDFMA2P029Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
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