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  • 型号: STY60NM50
  • 制造商: STMicroelectronics
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STY60NM50产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STY60NM50由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STY60NM50价格参考。STMicroelectronicsSTY60NM50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 60A(Tc) 560W(Tc) MAX247™。您可以下载STY60NM50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STY60NM50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 60A MAX247MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STY60NM50MDmesh™

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产品型号

STY60NM50

Pd-PowerDissipation

560 W

Pd-功率耗散

560 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

58 ns

下降时间

46 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

266nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 30A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MAX-247

其它名称

497-2775-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF65087?referrer=70071840

功率-最大值

560W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

MAX247™

封装/箱体

Max247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

STY60NM50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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