Datasheet下载- 型号： SI2309DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2309DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2309DS-T1-E3价格参考。VishaySI2309DS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2309DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2309DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2309DS-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：适用于电池供电设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制电源通断，降低待机功耗。 2. DC-DC转换器：在同步整流或电压反向保护电路中作为开关元件，提高转换效率。 3. 极性反接保护：在电源输入端防止因电池或电源接反而损坏后级电路，常用于USB供电、充电器和小型电源模块。 4. 信号切换与电平转换：用于低功率信号路径的开关控制，如I²C总线电平转换器中的开关元件。 5. 电机驱动与继电器驱动：适用于小功率直流电机或继电器的控制电路，实现低功耗驱动。 SI2309DS-T1-E3因其小封装和良好热性能，特别适合空间受限的高密度PCB设计。其无铅、符合RoHS标准的设计也满足现代电子产品环保要求。总体而言，该MOSFET适用于需要高效、小型化和低功耗的消费电子、工业控制和通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2309DS-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 340 毫欧 @ 1.25A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2309DS-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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