Datasheet下载- 型号： NP50P04SDG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP50P04SDG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP50P04SDG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP50P04SDG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP50P04SDG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP50P04SDG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP50P04SDG-E1-AY是瑞萨电子（Renesas Electronics America）推出的一款P沟道功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件主要应用于需要高效、低功耗开关控制的电源管理系统中。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电池电源管理与负载开关，用于实现系统上电时序控制和防止反向电流；各类DC-DC转换器电路中作为同步整流或高端开关，提升转换效率；以及在热插拔电路、电源多路复用和过压保护电路中提供可靠的开关功能。 该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、小封装尺寸（如SOP-8）和良好的热性能，适合空间受限且对功耗敏感的设计。其40V耐压和较高连续漏极电流能力，使其在工业控制、消费电子和通信设备中广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品设计。 综上，NP50P04SDG-E1-AY适用于中低压、高效率的开关电源和电源管理场景，尤其适合追求小型化与节能的现代电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH -40V -50A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP50P04SDG-E1-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252（MP-3ZK） |
| 其它名称 | NP50P04SDG-E1-AYDKR |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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