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详细数据请看参考数据手册
- 型号： APT7F120B
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT7F120B由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT7F120B价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT7F120B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT7F120B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT7F120B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的APT7F120B是一款高功率MOSFET器件，属于晶体管中的FET（场效应晶体管）类别，具体为MOSFET - 单管。该器件具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特性，适用于对性能和稳定性要求较高的电力电子系统。 APT7F120B的主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源模块，适用于工业电源、通信电源及服务器电源中，提供高效、稳定的功率转换。 2. 电机驱动：用于工业自动化设备、伺服电机或步进电机的驱动电路中，支持高频率开关操作，提高控制精度和效率。 3. 可再生能源系统：如太阳能逆变器、风能变流器等，APT7F120B的高耐压特性可支持高压直流输入，提升能源转换效率。 4. 电动汽车（EV）充电设备：在车载充电器或充电桩电源模块中，用于实现高效率和高可靠性的电能转换。 5. 工业自动化与控制设备：如PLC、变频器、UPS不间断电源等，适用于需要高频开关和高稳定性的场合。 该器件采用TO-247封装，便于散热和安装，适合高功率密度设计，广泛应用于高要求的工业、通信和新能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/7262-apt7f120b-s-d-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT7F120B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2565pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.9 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 其它名称 | APT7F120BMI |
| 功率-最大值 | 335W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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