Datasheet下载- 型号： IXFX30N100Q2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX30N100Q2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX30N100Q2价格参考。IXYSIXFX30N100Q2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFX30N100Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFX30N100Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFX30N100Q2是一款高压增强型N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有1000V的高漏源击穿电压和30A的连续漏极电流能力，适用于高电压、大功率的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 工业电源系统：广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和高压电源模块中，因其高耐压和低导通电阻特性，可提高能效并减少热损耗。 2. 电机驱动：适用于交流/直流电机控制电路，如工业自动化设备、电动工具和变频器，能够承受高启动电流和反向电动势。 3. 新能源领域：在太阳能逆变器和风能转换系统中作为关键开关元件，实现直流到交流的高效转换，支持高输入电压等级。 4. 电焊机与放电设备：因其具备良好的开关性能和高温工作稳定性，常用于电弧焊机、脉冲电源等高能量放电装置。 5. 高压照明系统：可用于高强度气体放电灯（HID）或LED驱动电源，支持快速开关和稳定输出。 6. 电力输配与保护系统：在固态继电器（SSR）、断路器或隔离装置中实现无触点控制，提升系统可靠性。 IXFX30N100Q2采用TO-247封装，散热性能良好，适合在严苛环境下长期运行。其优化的栅极设计降低了开关噪声，增强了抗干扰能力，是高电压工业应用中的可靠选择。使用时需注意适当的栅极驱动和散热设计，以确保稳定性和寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFX30N100Q2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 186nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 735W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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