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产品简介:
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NTB75N06LG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中,用于高效能开关操作。 2. 电机控制:在电动车、电动工具或工业自动化设备中,用于控制电机的启停与转速。 3. 负载开关:作为高效率的电子开关,控制电源对负载的供电,如在服务器、计算机主板中。 4. 逆变器系统:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器中作为功率开关元件。 5. 电池管理系统(BMS):用于控制电池充放电路径,提高系统安全性。 由于其封装形式(如TO-220或DPAK)便于散热和安装,适合在中高功率应用中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB75N06LG |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4370pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 37.5A,5V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Ta) |