Datasheet下载- 型号： DMN2005LPK-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2005LPK-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2005LPK-7价格参考。Diodes Inc.DMN2005LPK-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2005LPK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2005LPK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN2005LPK-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其典型的应用场景： 1. 电源管理 - DMN2005LPK-7 适用于各种低电压、低功耗的电源管理应用。例如，用作负载开关（Load Switch）来控制电路中不同模块的供电。 - 可用于 DC-DC 转换器中的同步整流电路，以提高效率并降低功耗。 2. 电池保护 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等）中，该器件可用于电池保护电路，防止过流或短路对电池造成损害。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，延长电池续航时间。 3. 电机驱动 - 适用于小型直流电机的驱动控制，例如玩具、风扇或其他低功率电机应用。 - 可作为 H 桥电路的一部分，用于实现电机的正转和反转控制。 4. 信号切换 - 在需要高频信号切换的场合，DMN2005LPK-7 可用作模拟开关或数字信号切换元件。 - 例如，在音频设备中切换不同的输入信号源。 5. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护或热插拔（Hot Swap）电路中，确保系统在异常情况下不会受到损坏。 - 其快速开关速度和低栅极电荷特性使其非常适合这些动态保护需求。 6. 消费电子 - 广泛应用于 USB 端口保护、充电电路以及各种消费类电子产品中，提供高效的开关和保护功能。 - 例如，在 USB-C 接口设计中，可用作电源路径管理的一部分。 7. 工业与汽车 - 在工业控制领域，可用于传感器接口、继电器驱动等场景。 - 在汽车电子中，适合用于信息娱乐系统、照明控制或辅助驾驶系统的低功率部分。 总之，DMN2005LPK-7 凭借其小封装尺寸（SOT-363/SC-88A）、低导通电阻和出色的性能，非常适合需要高效、紧凑解决方案的各种应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFNMOSFET 20V 200mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 440 mA |
| Id-连续漏极电流 | 440 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2005LPK-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2005LPK-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 450 mW |
| Pd-功率耗散 | 450 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1500 mOhms at 4 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMN2005LPK-7DICT |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 440mA （Ta） |
| 系列 | DMN2005L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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