Datasheet下载- 型号： DMN2005LP4K-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2005LP4K-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2005LP4K-7价格参考。Diodes Inc.DMN2005LP4K-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2005LP4K-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2005LP4K-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN2005LP4K-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 适用于多种电子电路设计场景，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中不同负载的开启和关闭，实现高效能的电源管理。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或开关元件，应用于降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，提高转换效率。 - 电池保护：在便携式设备中，用于防止电池过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入信号源。 - 数据信号切换：在通信设备或计算机外围设备中，用于切换数字信号路径。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于控制低功率电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路：与其他 MOSFET 配合，构成 H 桥以实现电机的正转和反转。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，检测并限制过大的电流。 - 短路保护：在发生短路时快速切断电路，保护其他敏感元件。 5. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑：用作内部负载开关或充电管理元件。 - 智能家居设备：如智能灯泡、插座等，用于电源控制和信号切换。 6. 汽车电子 - LED 照明驱动：用于控制车内 LED 灯的亮度和开关。 - 传感器接口：为各种车载传感器提供稳定的电源供应。 特性优势 DMN2005LP4K-7 具有低导通电阻（Rds(on)）、小封装尺寸（SOT-363/SC-89）、高开关速度等特点，使其非常适合空间受限且需要高效能的应用场合。此外，其工作电压范围适中（最大 Vgs = ±10V），能够满足大多数低压应用需求。 总结来说，DMN2005LP4K-7 的应用场景广泛覆盖了消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别适合需要低功耗、高效率和小型化的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFNMOSFET 30V 300mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2005LP4K-7 |
| Pd-PowerDissipation | 400 mW |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.9 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 41pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMN2005LP4KDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 13.7 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 650 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 40 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 200 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
| 系列 | DMN2005L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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