ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQP5N60C
Datasheet下载- 型号： FQP5N60C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQP5N60C产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP5N60C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP5N60C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP5N60C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP5N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP5N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP5N60C 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括以下领域： 1. 开关电源（SMPS） FQP5N60C 适用于开关电源中的高频开关应用。其低栅极电荷和快速开关特性使其成为 DC-DC 转换器、反激式转换器和其他 SMPS 拓扑的理想选择。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，FQP5N60C 可用作开关器件。它能够承受高达 600V 的漏源电压，并提供最大 5A 的连续漏极电流，适合驱动各类中小功率电机。 3. 逆变器电路 该 MOSFET 常用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）或其他需要将直流电转换为交流电的设备中。其高耐压能力确保了在高压环境下的稳定运行。 4. 负载切换与保护 在汽车电子、工业控制或消费电子产品中，FQP5N60C 可用于实现负载的动态切换以及过流保护功能。例如，在电池管理系统中，它可以作为电子开关来控制充放电路径。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 利用其快速开关速度和低导通电阻特性，FQP5N60C 能够高效地执行 PWM 控制任务，广泛应用于 LED 驱动、音频放大器等领域。 6. 继电器替代方案 在需要频繁开关操作的应用中，使用 FQP5N60C 替代传统机械继电器可以提高可靠性和寿命，同时减少电磁干扰。 总结来说，FQP5N60C 凭借其出色的电气性能和可靠性，非常适合用于高电压、中小电流的开关和功率转换场景，涵盖消费电子、工业自动化、汽车电子等多个行业。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP5N60CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP5N60C |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 4.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 系列 | FQP5N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP5N60C_NL |
