Datasheet下载- 型号： SIS322DNT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS322DNT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS322DNT-T1-GE3价格参考。VishaySIS322DNT-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIS322DNT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS322DNT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS322DNT-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、电源适配器、DC-DC 转换器等设备中的高效能电源开关，有助于提高能源利用效率。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为负载开关使用，控制电源流向不同模块，实现节能与安全保护。 3. 马达控制：用于小型电机驱动电路中，实现对电机启停及转速的控制，常见于电动工具、风扇及自动化设备。 4. LED照明：在LED驱动电路中作为调光或开关元件，实现亮度调节与节能控制。 5. 工业自动化：广泛应用于工业控制系统中，作为高频率开关元件，控制继电器、传感器及其他外围设备。 6. 汽车电子：用于车载电源系统、LED车灯控制、车载充电器等场景，具备良好的热稳定性和可靠性。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合在高效率、小体积设计中使用，是多种电子设备中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 38.3A N-Ch G-IV |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS322DNT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS322DNT-T1-GE3SIS322DNT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19.8 W |
| Pd-功率耗散 | 19.8 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 2.4 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS322DNT-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 19.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET Gen IV |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 54 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38.3A (Tc) |
| 系列 | SISxxxDN |
| 配置 | Single |
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