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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK31V60W,LVQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK31V60W,LVQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK31V60W,LVQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK31V60W,LVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK31V60W,LVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TK31V60W,LVQ是一款单晶体管FET(场效应晶体管),具体为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - TK31V60W,LVQ适用于开关电源的设计,能够高效地进行电流切换和电压调节。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。 - 常用于笔记本适配器、手机充电器、LED驱动器等小型化、高效率的电源设备。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该MOSFET可用作开关元件,控制电机的启动、停止及速度调节。 - 适用于家用电器(如风扇、吸尘器)以及工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 - 作为负载开关使用时,可以快速响应负载的变化,保护电路免受过流或短路的影响。 - 应用于消费电子产品的电源管理模块,例如智能手机、平板电脑和物联网设备。 4. DC-DC转换器 - 在降压或升压型DC-DC转换器中,TK31V60W,LVQ可以用作主开关管,实现高效的电压转换。 - 其耐压能力(60V)和低导通电阻使其适合于汽车电子、工业控制和其他需要稳定电压输出的场景。 5. 电池管理系统(BMS) - 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中,该MOSFET可用作充放电路径的开关,确保电池安全运行。 - 提供过充、过放、过流和短路保护功能。 6. 信号切换与隔离 - 可用于音频、视频或数据信号的切换和隔离,确保信号传输的稳定性和可靠性。 - 在通信设备和嵌入式系统中发挥重要作用。 总结 TK31V60W,LVQ凭借其低导通电阻、高耐压特性和快速开关性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。其紧凑的封装形式(LVQ)也使其非常适合对空间要求严格的现代电子产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 超级结 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK31V60W&lang=en&type=datasheet |
产品图片 | |
产品型号 | TK31V60W,LVQ |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 1.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 300V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 98 毫欧 @ 15.4A, 10V |
供应商器件封装 | 5-DFN (8x8) |
其它名称 | TK31V60WLVQCT |
功率-最大值 | 240W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-VSFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30.8A (Ta) |