ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7478PBF
Datasheet下载- 型号： IRF7478PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF7478PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7478PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7478PBF价格参考。International RectifierIRF7478PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7478PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7478PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7478PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： IRF7478PBF具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，非常适合用于开关电源中的高频开关应用，如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动： 该MOSFET可用于小型直流电机的驱动电路中，作为高侧或低侧开关，实现对电机速度和方向的控制。 3. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护电路中，IRF7478PBF可以用作充放电路径的开关，确保过流、短路和过温保护功能的实现。 4. 负载切换： 它适用于需要高效负载切换的应用场景，例如在消费电子设备中控制不同负载的供电状态。 5. LED驱动： 在大功率LED照明系统中，IRF7478PBF可以用于恒流驱动电路，提供稳定的电流输出以保证LED亮度一致。 6. 逆变器： 此MOSFET可应用于小型逆变器中，将直流电转换为交流电，用于便携式电器或太阳能发电系统。 7. 通信设备： 在通信基站或其他通信设备中，IRF7478PBF可用作信号放大或功率管理组件。 8. 汽车电子： 由于其良好的电气性能和可靠性，该器件也可用于汽车电子系统的各种开关应用，例如车窗升降、座椅调节等辅助功能。 总之，IRF7478PBF凭借其优异的性能参数，广泛适用于需要高效能、低损耗和快速响应的各种电子设备及工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOICMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7478PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7478PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.6 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 30 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 21 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 7.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7478.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7478.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
