Datasheet下载- 型号： IXTK102N30P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK102N30P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK102N30P价格参考。IXYSIXTK102N30P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTK102N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTK102N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXTK102N30P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点，适用于多种高功率开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC变换器和AC-DC电源模块中，作为主开关元件，实现高效电能转换。 2. 电机驱动：适用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的马达驱动电路，能够承受较高的启动电流并实现快速开关。 3. 逆变器系统：在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和变频器中，用于将直流电转换为交流电，具备良好的热稳定性和可靠性。 4. 照明电源：可用于高强度放电灯（HID）、LED驱动电源等高电压照明系统中，提供稳定的开关性能。 5. 工业与汽车电子：适合工业电源模块和汽车辅助电源系统，在高温、高负载环境下仍能稳定工作。 IXTK102N30P具有300V的漏源击穿电压和高达102A的脉冲漏极电流能力，同时拥有较低的栅极电荷和导通电阻，有助于提升系统效率并减少发热。其TO-264封装形式具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。综合来看，该MOSFET适用于对效率、可靠性和耐压要求较高的电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 102 A |
| Id-连续漏极电流 | 102 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTK102N30PPolarHT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTK102N30P |
| Pd-PowerDissipation | 700 W |
| Pd-功率耗散 | 700 W |
| Qg-GateCharge | 224 nC |
| Qg-栅极电荷 | 224 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 224nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264 （IXTK） |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 700W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHT |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 102A （Tc） |
| 系列 | IXTK102N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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