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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807ZTR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807ZTR价格参考。International RectifierIRF7807ZTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7807ZTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807ZTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF7807ZTR是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 IRF7807ZTR的典型应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源设计。 2. 电机控制:在直流电机驱动和步进电机控制中,用于实现高效、快速的开关操作。 3. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,确保电池安全高效运行。 4. 工业自动化:在工业控制设备中,作为功率开关使用,控制各种执行器和继电器。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块等,满足汽车应用对可靠性和效率的高要求。 该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合高频开关和高效率设计需求。其封装形式为PowerPAK SO-8,节省空间且易于散热,适合高密度PCB布局。 总结而言,IRF7807ZTR适用于各类中高功率电子系统中的开关和控制应用,尤其适合对效率和可靠性有较高要求的设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7807ZTR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.8 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |