ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLL2705PBF
/IRLL2705PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRLL2705PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLL2705PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL2705PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL2705PBF价格参考￥1.40-￥1.40。International RectifierIRLL2705PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223。您可以下载IRLL2705PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLL2705PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLL2705PBF 是由英飞凌（Infineon Technologies）生产的增强型 N 沟道逻辑级 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源 (SMPS)：IRLL2705PBF 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 4.5mΩ@10V）和低栅极电荷特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关，能够高效地实现电压转换。 2. 电机驱动：该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，可以作为功率级元件来控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的应用中（如汽车电子系统中的继电器替代方案），IRLL2705PBF 能够提供可靠的负载切换功能，并且具有较低的功耗。 4. 电池管理：可用于电池保护电路中，例如锂离子电池组的充放电路径控制，确保电流流向安全并防止过流、短路等情况发生。 5. 电信与网络设备：在通信基础设施中，这款 MOSFET 可用于信号处理板卡上的电源分配网络，以支持高效的电流传输。 6. 消费类电子产品：包括便携式设备（如平板电脑、笔记本电脑）、家用电器等在内的多种产品都可能采用此类高性能 MOSFET 来优化能源效率。 7. 工业自动化：在工业控制领域，它可被用作固态继电器的一部分，或者参与构建复杂的运动控制系统。 总之，IRLL2705PBF 凭借其优异的电气性能，在需要高效能功率转换及控制的各种电子应用场合中均能找到用武之地。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL2705PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLL2705PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 32 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 80 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 32 nC |
| 标准包装 | 80 |
| 正向跨导-最小值 | 5.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 3.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irll2705.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irll2705.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
