Datasheet下载- 型号： PHT6N06T,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT6N06T,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT6N06T,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT6N06T,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHT6N06T,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHT6N06T,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHT6N06T,135 是由 NXP USA Inc. 生产的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中小功率电子系统中。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于高效能转换场景。 该器件常见应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块中，实现高效的电能转换与稳压输出。 2. 电池供电设备：如便携式电子产品（移动电源、蓝牙设备、小型家电等），因其低功耗和高效率特性，有助于延长电池使用时间。 3. 电机驱动：适用于小功率直流电机或步进电机的控制电路，常见于电动玩具、家用电器（如风扇、电动牙刷）中。 4. LED驱动：用于LED照明系统的恒流或开关控制，提供稳定光源并减少能耗。 5. 保护电路：可作为电子负载开关或过流保护元件，用于防止反向电流或短路损坏后级电路。 PHT6N06T,135采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，特别适合空间受限的消费类电子产品。其60V耐压和6A连续漏极电流能力，在同类产品中具备良好性价比。综合来看，该MOSFET适用于对效率、尺寸和可靠性有一定要求的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHT6N06T,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-7368-6 |
| 功率-最大值 | 8.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tsp） |
SOT223-1.jpg)
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