Datasheet下载- 型号： SI8851EDB-T2-E1
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8851EDB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8851EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8851EDB-T2-E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI8851EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8851EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8851EDB-T2-E1 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm的小型DFN1212封装，具有低导通电阻和小尺寸特点。该器件适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。 主要应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于控制电池供电路径或模块供电的通断；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关，提升电源转换效率；还可用于LED驱动电路中的开关控制，实现低功耗和快速响应。 由于其具备良好的热性能和高功率密度，SI8851EDB-T2-E1也适合用于需要频繁开关操作的便携式消费电子产品，如TWS耳机、智能手表和移动电源等。此外，在热插拔电路和过压保护电路中，该MOSFET可作为理想的开关元件，提供可靠的安全保护功能。 总体而言，SI8851EDB-T2-E1凭借小型化封装、低RDS(on)和高可靠性，广泛应用于高集成度、低功耗的现代电子系统中，特别适合对体积和能效有严格要求的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI8851EDB-T2-E1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 7A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | Power Micro Foot® |
| 其它名称 | SI8851EDB-T2-E1DKR |
| 功率-最大值 | 660mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | 30-XFBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.7A （Ta） |
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