Datasheet下载- 型号： SIA447DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA447DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA447DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA447DJ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIA447DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA447DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA447DJ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于开关电源中的功率级，提供高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中控制电路的通断，降低功耗。 - 线性稳压器：作为旁路或调节元件，提高电源效率。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于消费类电子产品（如风扇、泵）和玩具中的电机驱动。 - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转功能。 3. 电池保护 - 过流保护：在锂电池管理系统中，防止过流或短路损坏电池。 - 充电管理：用作充电路径的开关，确保安全充电。 4. 信号切换 - 高速信号切换：由于其低导通电阻（Rds(on)），适合高频信号切换应用。 - 音频信号切换：在音频设备中切换不同的输入源，减少失真。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理和外围设备接口。 - USB端口保护：防止过压或过流对设备造成损害。 6. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化中，作为传感器信号的开关。 - 继电器替代：用作固态继电器，提高可靠性和寿命。 特点总结 SIA447DJ-T1-GE3具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，使其非常适合需要高效能和小尺寸的应用场合。此外，其坚固的设计能够承受严苛的工作环境，是许多现代电子产品的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6LMOSFET -12V 13.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA447DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA447DJ-T1-GE3SIA447DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 80 nC |
| Qg-栅极电荷 | 80 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 0.85 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 850 mV |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.85 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.85 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 7A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA447DJ-GE3 |
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