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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR420TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR420TRPBF价格参考。VishayIRFR420TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR420TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR420TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFR420TRPBF 是一款 N 沟道功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(MOSFET)类别。该器件采用先进的平面技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理与功率控制场景。 其典型应用场景包括:开关电源(SMPS),如AC-DC和DC-DC转换器,用于提高能效并减少能量损耗;电机驱动电路,常见于家用电器、电动工具和工业控制设备中,可实现对电机启停和转速的精确控制;此外,也广泛应用于逆变器、UPS(不间断电源)和电池管理系统中,作为核心开关元件以提升系统稳定性和响应速度。 IRFR420TRPBF 还适合用于过流保护电路、LED照明驱动电源以及汽车电子系统中的辅助电源模块。其“TRPBF”后缀表示该器件符合环保标准,为无铅(RoHS合规)产品,适合对环境要求较高的现代电子产品制造。 由于具备良好的热稳定性和耐压能力(漏源击穿电压达500V),它可在中等功率条件下可靠工作,是工业、消费类及汽车电子领域中常用的功率开关器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAKMOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR420TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR420TRPBFIRFR420TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 8.6 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.4A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR420PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 19 nC |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 2.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |