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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFA16N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFA16N50P价格参考。IXYSIXFA16N50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFA16N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFA16N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFA16N50P是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管N沟道功率MOSFET。该器件具有较高的耐压能力和较大的导通电流能力,适用于多种功率电子应用场合。 IXFA16N50P的主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于高效能、高频的电能转换。 2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的驱动电路中,提供快速开关和高电流承载能力。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电。 4. 工业控制:用于工业自动化系统中的功率控制模块,如PLC控制输出、加热元件控制等。 5. 充电器设计:用于电动汽车充电器、电池充电管理系统中,实现高效的能量传输。 6. 照明系统:如LED大功率照明驱动电源,用于调节亮度和稳定电流。 该MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))、高工作电压(500V)和良好的热稳定性,适合高频、高效率开关应用。同时,其封装形式(如TO-247)便于散热和安装,广泛应用于中高功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAKMOSFET 500V 16A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFA16N50PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFA16N50P |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 8A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 (IXFA) |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 系列 | IXFA16N50P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |