Datasheet下载- 型号： GA20JT12-263
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GA20JT12-263由GeneSiC Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GA20JT12-263价格参考。GeneSiC SemiconductorGA20JT12-263封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GA20JT12-263参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GA20JT12-263 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
GeneSiC Semiconductor的GA20JT12-263是一款基于碳化硅（SiC）技术的N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件具有高耐压（1200V）、低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高频率和高温工作环境。 其主要应用场景包括：工业电源系统，如高压DC-DC转换器和不间断电源（UPS），可提升能效并减小系统体积；太阳能光伏逆变器，利用其高耐压和快速开关特性，提高能量转换效率；电动汽车相关设备，如车载充电机（OBC）和充电桩，支持高功率密度与高可靠性需求；此外，还广泛用于电机驱动、感应加热和智能电网设备中，满足对节能和系统紧凑化的要求。 得益于碳化硅材料的优势，GA20JT12-263在高温环境下仍保持稳定性能，减少了对复杂散热系统的需求，有助于降低整体系统成本。因此，该型号特别适合追求高效、小型化和高可靠性的现代电力电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SJT 1.2KV 20A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | GA20JT12-263 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 1242-1189 |
| 标准包装 | 30 |
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