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Datasheet下载- 型号： PD57006STR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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PD57006STR-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57006STR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57006STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD57006STR-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet LDMOS 28V 70mA 945MHz 15dB 6W PowerSO-10RF (Straight Lead)。您可以下载PD57006STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57006STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57006STR-E是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，广泛应用于高频、高效率的无线通信系统中。该器件基于先进的LDMOS（横向双扩散MOS）技术，具备良好的热稳定性和高功率增益，适合在VHF至UHF频段（通常覆盖30MHz至1GHz范围）工作。 其主要应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、等离子发生和射频激励源；无线基础设施中的射频放大器，如小型基站和中继设备；以及广播发射系统中的音频/射频功率放大环节。此外，PD57006STR-E也适用于物联网（IoT）、智能城市和远程无线供电等新兴领域的射频电源模块。 该器件采用紧凑的表面贴装封装（如DFN8），具有优良的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。凭借STMicroelectronics一贯的高可靠性与一致性，PD57006STR-E在要求长时间连续运行和高稳定性的工业级应用中表现出色，是中等功率射频设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD57006STR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 其它名称 | 497-10098-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF146581?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 70mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 1A |
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