Datasheet下载- 型号： BF908,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF908,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF908,215价格参考。NXP SemiconductorsBF908,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF908,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF908,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BF908,215 是一款硅基N沟道MOSFET射频场效应晶体管，属于射频功率放大器应用中的小信号器件。该器件主要应用于高频无线通信系统中，工作频率可达VHF/UHF波段（30 MHz至1 GHz以上），适合用于低噪声放大、射频前端增益级和小型发射模块。 BF908,215 常见的应用场景包括：便携式无线电设备（如对讲机、无线麦克风）、民用和工业用无线通信终端、无线传感器网络、遥控装置以及短距离无线传输系统（如ISM频段设备）。由于其具备良好的增益特性、较低的噪声系数和较高的可靠性，该器件在需要高效、稳定射频放大的场合表现优异。 此外，BF908,215 适用于电池供电设备，因其工作电压较低（典型值为10–12V），功耗较小，有助于延长设备续航时间。封装形式为SOT23，体积小巧，便于在紧凑型PCB设计中集成，广泛用于消费电子、智能家居、工业控制及物联网（IoT）等领域的射频模块中。 综上，BF908,215 是一款适用于中高频段、低功耗射频放大需求的理想选择，特别适合对尺寸和能效有较高要求的无线通信应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B射频MOSFET晶体管 DUAL GATE 10V 40mA VHF/UHF |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 0.04 A |
| Id-连续漏极电流 | 0.04 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF908,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF908,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Small Signal |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-6176-1 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | 0.6dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 0.04 A |
| 电压-测试 | 8V |
| 电压-额定 | 12V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | 8 V |
| 零件号别名 | BF908 T/R |
| 频率 | 200MHz |
| 额定电流 | 40mA |
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