Datasheet下载- 型号： BLF8G27LS-100V,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-100V,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-100V,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-100V,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-100V,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-100V,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 生产的 BLF8G27LS-100V,118 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别，专为高频和高功率应用设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers) - 该器件适用于射频功率放大器的设计，广泛用于无线通信领域。其高功率处理能力和宽频带特性使其适合于基站、中继站和其他需要高效射频放大的设备。 - 特别适用于 L 波段（1-2 GHz）的应用场景。 2. 航空与国防 - 在雷达系统中，BLF8G27LS-100V,118 可用作发射机的功率放大器，提供高增益和高效率。 - 适用于卫星通信、导航系统以及电子战设备中的射频信号处理。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 - 在 ISM 频段内，这款 MOSFET 可用于加热、焊接、等离子体生成等高功率射频应用。 - 其稳定的性能和可靠性确保了在这些苛刻环境下的长期使用。 4. 广播系统 - 用于调频 (FM) 和电视广播系统的功率放大器，提供高质量的信号传输。 - 支持高效的能量转换，降低热量损耗，延长设备寿命。 5. 测试与测量设备 - 在射频测试仪器中，如信号发生器和频谱分析仪，这款晶体管可用于生成和放大射频信号，以满足精确测试的需求。 性能特点支持的应用需求： - 高功率输出：支持高达 100W 的射频输出功率，适合需要大功率的应用。 - 宽频率范围：覆盖从几十 MHz 到超过 1 GHz 的频率范围，适应多种射频场景。 - 高效率与低失真：确保信号质量的同时减少能耗和热管理需求。 总之，BLF8G27LS-100V,118 是一款高性能射频 MOSFET，主要应用于通信、国防、工业和广播等领域，能够满足高功率、高频和高效率的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 100W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G27LS-100V,118 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 568-10152-1 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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