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- 型号： BLF6G10LS-160,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-160,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-160,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-160,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10LS-160,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-160,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.、型号为BLF6G10LS-160,118的器件属于射频场效应晶体管（RF FET），具体为MOSFET类型。该器件主要应用于高功率射频放大器中，适用于广播、通信和工业射频系统。 该型号MOSFET具有高功率输出、高效率和良好热稳定性的特点，适用于D类和E类功率放大器设计。常见应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）和数字音频广播（DAB）等高功率发射设备中，作为末级功率放大器。 2. 通信基础设施：如蜂窝基站、无线接入系统等，用于射频信号的高功率放大。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热装置、医疗治疗设备中的功率放大模块。 4. 测试与测量设备：用于射频功率放大器测试系统或信号发生器中。 BLF6G10LS-160,118支持在1.8MHz至6000MHz频率范围内工作，具备良好的宽带性能，适合多频段应用。其封装设计便于散热，适用于连续波（CW）及脉冲工作模式。 综上，该器件广泛应用于需要高功率、高效率射频放大的通信、广播及工业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION FINAL SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10LS-160,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934060894118 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 28dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 1GHz |
| 额定电流 | - |
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