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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CGHV27200F
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CGHV27200F由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CGHV27200F价格参考。CreeCGHV27200F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CGHV27200F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CGHV27200F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为CGHV27200F的射频MOSFET晶体管（品牌为Cree/Wolfspeed）主要面向高功率射频应用，广泛用于需要高效、高频率性能的系统中。该器件基于碳化硅（SiC）衬底的氮化镓（GaN-on-SiC）技术，具备高功率密度、高效率和优异的热管理能力。 其典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：如蜂窝基站中的功率放大器模块，适用于2G/3G/4G/5G等多种通信标准，尤其适合高频段（如2.7GHz附近）操作。 2. 广播系统：用于FM广播或电视广播发射机中的高功率射频放大环节，提供高线性度和稳定输出。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热装置、医疗治疗设备中的功率放大系统。 4. 雷达与测试设备：适用于需要高瞬时功率输出的雷达系统和射频测试仪器，提供宽频带和高可靠性。 5. 军事与航空航天：由于其高可靠性和耐极端环境能力，也适用于军用通信和电子战系统中的射频功率放大模块。 该器件支持高电压操作（如28V或50V供电），具备良好的耐用性和抗失配能力，适合在复杂电磁环境中稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | HEMT RF 50V 200W 2.7GHZ 440162 |
| 产品分类 | RF FET |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 440162 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB ~ 16dB |
| 封装/外壳 | 440162 |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 标准包装 | 100 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/cghv27200-telecom-transistor/50232 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 50V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 12A |
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