Datasheet下载- 型号： 2SK3557-7-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3557-7-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3557-7-TB-E价格参考￥0.84-￥0.84。ON Semiconductor2SK3557-7-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3557-7-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3557-7-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2SK3557-7-TB-E是一款N沟道MOSFET，属于射频场效应晶体管（RF FET），主要用于高频信号放大和射频功率应用。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，常见于UHF频段及以上的应用场景。 其典型应用包括：电视调谐器、有线电视（CATV）设备、卫星接收器、地面数字电视接收模块以及各类宽带射频低噪声放大器（LNA）。由于具备良好的增益特性、低噪声系数和高截止频率，2SK3557-7-TB-E在小信号放大方面表现优异，特别适合用于前端射频接收电路中，以提升信号接收灵敏度和系统整体性能。 此外，该器件采用小型表面贴装封装，有利于节省PCB空间，适用于对尺寸敏感的高密度电子设备。凭借ON Semiconductor一贯的可靠性和稳定性，2SK3557-7-TB-E广泛应用于家庭娱乐系统、广播电视设备和通信基础设施中，尤其适合需要高效、低功耗射频放大的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 10 pF |
| Ciss-输入电容 | 10 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 15V 50MA 3CPJFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 mA |
| Id-连续漏极电流 | 50 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK3557-7-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3557-7-TB-E |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 15 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 50 mA |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 其它名称 | 869-1106-6 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24 ms |
| 漏极电流Id-最大值 | 50 mA |
| 漏极连续电流 | 50 mA |
| 漏源电压VDS | 15 V |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 1mA |
| 系列 | 2SK3557 |
| 输入电容 | 10 pF |
| 闸/源击穿电压 | - 15 V |
| 闸/源截止电压 | - 1 nA |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 50mA |
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