Datasheet下载- 型号： BLF7G22LS-200,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22LS-200,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22LS-200,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G22LS-200,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G22LS-200,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G22LS-200,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G22LS-200,112 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频应用。该器件适用于广播、工业加热、医疗设备以及无线通信基础设施等需要高效率和高稳定性的场景。其高输出功率和优良的热稳定性使其在射频能量应用中表现出色，例如射频等离子体发生、射频消融和射频感应加热等。此外，该型号也适用于基站和广播发射机中的射频放大器设计，支持在高频率下工作，具有良好的线性度和耐用性，适合长时间高负荷运行的工业和通信应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G22LS-200,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064461112 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.62A |
| 频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
| 额定电流 | 29.5A |
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