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产品简介:
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Vishay Siliconix品牌的IRFBE30STRLPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: 该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)以及电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够降低功耗,提高效率。 2. 电机驱动: 在小型电机控制中,IRFBE30STRLPBF可用于驱动直流电机或步进电机,实现高效的开关控制和调速功能。 3. 负载开关: 作为负载开关,该器件可以快速切换电路中的负载状态,同时减少能量损失,适用于消费电子、工业设备及通信设备。 4. 电池管理系统(BMS): 在电池保护和管理中,这款MOSFET可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保系统安全运行。 5. 逆变器与太阳能系统: IRFBE30STRLPBF可应用于小型逆变器和太阳能微逆变器中,用于高效的能量转换和管理。 6. LED驱动: 在高亮度LED照明应用中,该MOSFET可用作开关元件,提供稳定的电流输出并支持调光功能。 7. 汽车电子: 虽然IRFBE30STRLPBF并非专为汽车级设计,但在非关键车载应用(如车窗升降、座椅调节等)中也可使用。 总结来说,IRFBE30STRLPBF凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,适合各种需要高效功率转换和控制的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFBE30STRLPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 2.5A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A (Tc) |