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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP22N60S-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP22N60S-E3价格参考。VishaySIHP22N60S-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHP22N60S-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHP22N60S-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHP22N60S-E3是一款高压N沟道增强型MOSFET,额定电压600V,连续漏极电流可达22A,适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。该器件采用先进的超级结技术,具有低导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能,可有效降低导通损耗和开关损耗。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于服务器电源、通信电源、工业电源等AC-DC转换器中的主开关管,尤其适用于连续导通模式(CCM)PFC电路和硬开关拓扑。 2. LED照明驱动电源:适用于大功率LED路灯、工业照明等需要高效率和高可靠性的离线式电源设计。 3. 光伏逆变器:在太阳能微逆变器或组串式逆变器的辅助电源或DC-DC转换级中提供高效能量转换。 4. 电机驱动与工业控制:可用于中小功率变频器或电机控制模块中的功率开关元件。 SIHP22N60S-E3具备高雪崩耐量和良好的热稳定性,适合在高温、高电压环境下长期运行。其TO-220封装便于散热设计,也支持通孔安装,适用于对可靠性要求较高的工业级应用。此外,该器件符合RoHS标准,无卤素,满足环保要求。 综上,SIHP22N60S-E3特别适用于需要高电压、高效率和高可靠性的中高功率电源系统,是现代绿色能源和工业电子设备中的关键功率器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 22A TO220MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHP22N60S-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP22N60S-E3SIHP22N60S-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 75 nC |
| Qg-栅极电荷 | 75 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 59 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SIHP22N60SE3 |
| 典型关闭延迟时间 | 77 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 9.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
| 系列 | E |