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- 型号： NTD3055L170
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3055L170由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3055L170价格参考。ON SemiconductorNTD3055L170封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3055L170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3055L170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3055L170 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器等电源管理系统，因其高效率和低导通电阻特性，有助于提高能源利用率。 2. 电机控制：在直流电机驱动和步进电机控制中，该MOSFET可作为高效的开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的开启与关闭，如照明系统、加热元件和风扇等，具备快速开关能力和良好的热稳定性。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中，该器件可实现高效的能量转换与稳定输出。 5. 工业自动化：广泛应用于工业控制系统中，如PLC、传感器模块和自动测试设备，提供可靠的开关性能。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动工具和辅助电机控制等场景，满足汽车电子对可靠性和耐环境能力的要求。 该MOSFET因其高耐压、低导通电阻及良好的热性能，适用于需要高效能与稳定性的多种功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3055L170 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 4.5A，5V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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