Datasheet下载- 型号： NTD32N06L-1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD32N06L-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD32N06L-1G价格参考。ON SemiconductorNTD32N06L-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD32N06L-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD32N06L-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD32N06L-1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） NTD32N06L-1G 适用于开关电源中的功率开关角色。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.028 Ω）和高电流处理能力（最大 drain 电流可达 54 A），使其在高效能转换电路中表现出色。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其低导通电阻特性，能够减少功耗并提高效率，同时支持快速开关以适应 PWM 控制。 3. 负载切换 在需要频繁切换负载的应用中（如汽车电子、工业控制等），NTD32N06L-1G 的低导通损耗和高可靠性可以确保稳定运行。例如，在汽车启动系统或电池管理系统中作为负载开关。 4. 逆变器和变频器 该器件适合用作逆变器的核心功率元件之一，尤其是在中小功率范围内的应用中。其出色的热性能和电气特性有助于实现高效的电能转换。 5. 电池保护与管理 在锂电池或其他可充电电池组中，此 MOSFET 可用作充放电路径上的保护开关，防止过流、短路等情况发生，从而保障电池安全。 6. 音频放大器 部分音频放大器设计中也会采用此类 MOSFET 作为输出级器件，提供更大的输出功率和更好的线性度。 总结来说，NTD32N06L-1G 凭借其优良的电气参数及稳定性，广泛应用于消费电子、工业设备、通信设施以及汽车电子等领域，尤其适合对效率、散热和成本有较高要求的设计项目。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD32N06L-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 16A，5V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Ta） |
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