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Datasheet下载- 型号： SI4812BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI4812BDY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4812BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4812BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4812BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 7.3A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4812BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4812BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4812BDY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器和负载开关，实现高效能和低功耗。 2. 电池供电设备：在手持设备、移动电源和电池管理系统中用于电池充放电控制和电源切换。 3. 马达驱动与负载开关：用于小型马达、风扇或继电器的开关控制，具备良好的导通电阻和热稳定性。 4. 工业控制：适用于工业自动化设备中的电源控制模块，如PLC、传感器和执行器的驱动电路。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明控制和车载充电器等场景，具备较高的可靠性和稳定性。 该器件采用小型封装（如PowerPAK SO-8），适合空间受限的设计，同时支持高电流和低导通电阻，有助于提高系统效率并减少散热需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4812BDY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4812BDY-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Ta） |
