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型号： BSR606NH6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSR606NH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR606NH6327XTSA1价格参考。InfineonBSR606NH6327XTSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BSR606NH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSR606NH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的BSR606NH6327XTSA1是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET/MOSFET单管类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种中低功率电源管理场景。

其主要应用场景包括：便携式电子设备中的负载开关和电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑；电池供电系统中的充放电控制与保护电路；LED驱动电路，用于实现高效恒流控制；以及各类消费类电子产品中的DC-DC转换器和同步整流电路。此外，该MOSFET也广泛应用于工业控制模块、小型电机驱动和电源开关电路中，适合需要高能效和紧凑设计的场合。

由于采用PG-TSDS-6封装，体积小巧，有利于节省PCB空间，适合高密度布局设计。同时具备良好的抗雪崩能力和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，满足严苛的工业和消费级应用需求。综合来看，BSR606NH6327XTSA1是一款高性能、高可靠性的MOSFET，适用于对效率、尺寸和稳定性有较高要求的中低功率电子系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	2.3 A
Id-连续漏极电流	2.3 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSR606NH6327XTSA1
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	BSR606NH6327XTSA1
RdsOn-Drain-SourceResistance	60 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	60 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
产品种类	MOSFET
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	60 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	2.3 A
系列	BSR606
配置	Single
零件号别名	SP000691160