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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU110ATU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLU110ATU价格参考。Fairchild SemiconductorIRLU110ATU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLU110ATU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLU110ATU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLU110ATU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于中低功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块,提升能效并减小体积。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制电路中作为高效开关元件。 3. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载通断,如便携式电子产品或汽车电子系统。 4. 逆变器与变频器:在低功率逆变器或变频电路中实现快速开关功能。 5. 工业自动化:作为工业控制系统中的功率开关,驱动继电器、电磁阀等执行器件。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和耐压能力强等特点,适合对效率和散热有一定要求的应用场景。由于采用TSOP封装,节省空间且便于散热设计,适用于紧凑型电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLU110ATU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 440 毫欧 @ 2.35A,5V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 5,040 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.7A (Tc) |