Datasheet下载- 型号： SI7738DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7738DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7738DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7738DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7738DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7738DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7738DP-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性。该器件常用于便携式电子设备和电源管理应用中。 典型应用场景包括： 1. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源开关或负载切换，因其低功耗和高效率有助于延长电池寿命。 2. DC-DC转换器：在同步整流或电压调节电路中作为开关元件，提升转换效率。 3. 热插拔电路与电源多路复用：支持安全的电源切换和防止反向电流。 4. 电机驱动与LED驱动：适用于中小功率控制场景，提供快速响应和稳定性能。 5. 消费类电子产品：如无线耳机、可穿戴设备、智能家居设备中的电源管理模块。 SI7738DP-T1-GE3 采用小型化封装（如PowerPAK® SO-8双面散热），适合空间受限的高密度PCB设计，同时具备良好的热性能和可靠性，广泛应用于需要高效、低静态功耗的系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8MOSFET 150V 30A 96W 38mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7738DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7738DP-T1-GE3SI7738DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.4 W |
| Pd-功率耗散 | 5.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 7.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7738DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7738DP-GE3 |
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