Datasheet下载- 型号： SIS407DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS407DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS407DN-T1-GE3价格参考￥2.71-￥2.97。VishaySIS407DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIS407DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS407DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SIS407DN-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 品牌下的一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件，提供高效的电压转换。 - 负载开关：在需要快速开启和关闭负载的电路中，SIS407DN 的低导通电阻（Rds(on)）可以减少功耗并提高效率。 - 电池管理系统 (BMS)：适用于锂电池或其他电池组的充放电保护电路，控制电流流向。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于驱动小型风扇、玩具电机等，通过 PWM 调节速度。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，实现电机的正转、反转及制动功能。 3. 消费电子 - 笔记本电脑和移动设备：应用于便携式设备中的电源管理模块，确保高效能和低热量产生。 - USB 充电器和适配器：用作同步整流或开关元件，提升充电效率并降低发热。 4. 通信设备 - 基站电源：在通信基站的电源模块中，作为功率级开关器件使用。 - 信号调节：在某些射频 (RF) 应用中，可用作开关以调节信号路径。 5. 工业自动化 - 传感器接口：为各种工业传感器提供稳定的电源供应。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和长寿命，可替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - LED 照明驱动：用于汽车内外 LED 灯光系统的驱动和调光。 - 辅助电源系统：如电动座椅、车窗升降器等的小功率控制。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：有助于降低传导损耗，适合高效率应用。 - 高开关频率：支持高频工作环境，满足现代电子设备对快速响应的需求。 - 小封装尺寸 (SOT-23/DFN)：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 综上所述，SIS407DN-T1-GE3 凭借其优异的性能和小巧的封装，在多种电子设备和系统中具有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 2.76 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAKMOSFET 20V 25A P-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 25 A |
| Id-连续漏极电流 | - 25 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS407DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS407DN-T1-GE3SIS407DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 33 W |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| Qg-GateCharge | 62.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2760pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93.8nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS407DN-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
| 系列 | SISxxxDN |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIS407DN-GE3 |
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