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产品简介:
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BUK9Y72-80E,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数:VDS(漏源极电压)为 80V,RDS(on)(导通电阻)为 7.2mΩ(典型值),IDS(连续漏极电流)高达 115A。基于这些特性,其应用场景主要包括: 1. 开关电源(SMPS) BUK9Y72-80E,115 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地处理大电流负载,降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动 在直流无刷电机(BLDC)或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作功率级开关元件。其低 RDS(on) 能够减少发热,确保电机在高负载下的稳定运行。 3. DC-DC 转换器 作为同步整流器或主开关器件,BUK9Y72-80E,115 能够在 DC-DC 转换器中提供高效的能量转换,适用于降压、升压或升降压拓扑结构。 4. 电池管理系统(BMS) 在电池保护电路中,这款 MOSFET 可用作充放电路径的开关,实现过流保护、短路保护等功能,同时保持较低的导通损耗。 5. 负载切换与保护 它可以用于工业设备、汽车电子或消费电子产品中的负载切换应用,例如控制大电流 LED 照明、加热元件或其他高功率负载。 6. 汽车电子 由于其高电流能力和可靠性,BUK9Y72-80E,115 也可应用于汽车电子领域,如电动助力转向系统(EPS)、启动马达控制和车载充电器等。 7. 逆变器与 UPS 系统 在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,该 MOSFET 可用作功率开关,支持高效的能量转换和输出调节。 总结来说,BUK9Y72-80E,115 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛适用于需要高效功率管理、快速开关响应和低热损耗的各种工业、汽车及消费类电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 56LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BUK9Y72-80E,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 898pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.9nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 72 毫欧 @ 5A, 10V |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-11427-6 |
功率-最大值 | 45W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tmb) |