Datasheet下载- 型号： SI4164DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4164DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4164DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4164DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4164DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4164DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4164DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，能够高效地控制电流流动，降低功率损耗。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，实现快速开启和关闭，同时减少静态功耗。 - 电池保护电路：用于锂电池管理系统中，防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于低电压、小功率电机的驱动电路，如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在多输入音频设备中，用于切换不同的信号源。 - 数据线路切换：用于 USB 或其他高速数据接口的信号切换，确保低导通电阻以减少信号失真。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻和快速响应特性，设计过流保护电路。 - ESD 防护：在敏感电子设备中，配合其他元件提供静电放电保护。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理、电池保护和负载开关。 - 笔记本电脑：在电源适配器和内部电源管理模块中应用。 - 智能家居设备：如智能灯泡、恒温器等，用于电源管理和信号切换。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于工业传感器的信号调理和保护。 - 通信模块：在无线通信模块中，作为开关或保护元件。 SI4164DY-T1-GE3 的优势在于其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和紧凑的封装（如 SOT-23），使其非常适合空间受限且需要高效能的应用场合。此外，其低栅极电荷特性有助于降低开关损耗，适合高频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOICMOSFET 30V 30A 6.0W 3.2mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4164DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4164DY-T1-GE3SI4164DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3545pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4164DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 75 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI4164DY-GE3 |
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