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  • 型号: FQPF9N50YDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF9N50YDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF9N50YDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF9N50YDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF9N50YDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF9N50YDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF9N50YDTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于需要高效、高电压开关性能的场合。

其典型应用场景包括:

1. 电源转换系统:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于实现高效的功率转换。

2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的驱动电路中,作为高速开关元件,控制电机的启停与转速。

3. 照明系统:例如LED照明驱动电路中,用于调节电流或作为开关控制。

4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电,要求器件具备高耐压和低导通损耗。

5. 汽车电子:如车载充电器、电动工具、车身控制模块等,因其具备较高的可靠性和耐环境能力。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压和9A的连续漏极电流能力,导通电阻较低,有助于减少功率损耗,提高系统效率。同时,其封装形式(如TO-252)便于散热和在PCB上的安装,适合中高功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQPF9N50YDTU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

36nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

730 毫欧 @ 2.65A,10V

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

50W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A (Tc)

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