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  • 型号: MMSF7P03HDR2
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSF7P03HDR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSF7P03HDR2价格参考。ON SemiconductorMMSF7P03HDR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSF7P03HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSF7P03HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSF7P03HDR2 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关和负载控制应用。该器件具有低导通电阻、小封装体积和良好的热性能,适合对空间与效率有要求的应用场景。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源切换,适用于便携式电子产品、笔记本电脑、移动电源等。

2. 电机控制:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,实现启停或调速功能。

3. 工业自动化:用于PLC模块、传感器驱动电路及继电器替代方案中,提高系统可靠性和效率。

4. 汽车电子:应用于车载充电系统、车灯控制、电动窗等子系统中,满足汽车环境对稳定性和耐久性的需求。

5. 通信设备:在路由器、交换机等网络设备中用于电源管理和信号路径控制。

该MOSFET采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺,便于在高密度PCB设计中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMSF7P03HDR2

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1680pF @ 24V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

75.8nC @ 6V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 5.3A,10V

供应商器件封装

8-SOIC N

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Ta)

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