Datasheet下载- 型号： FQD4N50TM_WS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N50TM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4N50TM_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFQD4N50TM_WS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD4N50TM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD4N50TM_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4N50TM_WS 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效能功率开关的场合。其应用场景主要包括： 1. 电源转换设备：如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器等，用于提高能源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机控制：在直流电机或步进电机驱动电路中作为功率开关使用，适用于工业自动化和机器人控制系统。 3. 照明系统：用于LED照明调光与开关控制，提供稳定电流以延长灯具寿命。 4. 消费类电子产品：如电视、音响、电脑电源模块等，用于电源管理和节能设计。 5. 汽车电子：用于车载充电器、电动车窗、座椅调节系统等小功率电机控制及电源管理。 6. 家电控制：如洗衣机、空调、微波炉等家用电器中的马达驱动和负载开关。 该器件具备高耐压（500V）、低导通电阻、快速开关特性，适合高频开关应用，同时封装小巧，有助于节省PCB空间，适用于对尺寸和效率有要求的设计场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD4N50TM_WS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Tc） |
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