Datasheet下载- 型号： 3N163-2
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3N163-2由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3N163-2价格参考。Vishay3N163-2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3N163-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3N163-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3N163-2 是 Vishay Semiconductor Diodes Division（原 Siliconix）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-92 封装，额定参数典型值为：VDS = 60 V，ID（连续）≈ 200 mA，RDS(on) ≈ 5 Ω（VGS = 10 V），具备低栅极电荷与快速开关特性。 该器件主要面向中小功率、低成本、空间受限的通用开关应用。典型应用场景包括： ✅ 小功率电源管理：如电池供电设备中的负载开关、电源通断控制（如便携式仪器、遥控器、玩具等）； ✅ 信号/逻辑电平转换与驱动：用于微控制器（MCU）IO 口驱动继电器、LED、小型电磁阀或蜂鸣器等感性/阻性负载； ✅ 模拟开关与多路复用辅助电路：在低频信号路径中作单刀单掷（SPST）电子开关； ✅ 消费类电子保护电路：如反向电压保护、简易过流限幅或电池极性反接防护模块； ✅ 工业与家电控制板：用于风扇调速、小电机启停、LED 调光等对成本和尺寸敏感的嵌入式控制节点。 需注意：因封装（TO-92）散热能力有限，不适用于持续大电流或高功耗场景；设计时应确保 VGS ≥ 4.5 V 以充分导通，并建议添加栅极下拉电阻（如10 kΩ）防止误触发。其成熟可靠、高性价比特点，使其在入门级模拟/数字混合电路中仍具实用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3N163-2 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 欧姆 @ 100µA， 20V |
| 供应商器件封装 | TO-72 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50mA （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
3N163-2 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商