Datasheet下载- 型号： 3N163-2
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3N163-2由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3N163-2价格参考。Vishay3N163-2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3N163-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3N163-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的型号 3N163-2 是一款 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于分立式晶体管中的 FET 类别。该器件常用于低功率开关和模拟信号控制等应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于低电压、低功率的 DC-DC 转换器或电源开关电路中，实现对负载的高效控制。 2. 逻辑电路接口：在数字电路中作为电平转换或信号开关使用，连接不同电压域的逻辑信号。 3. 小型电子设备：如便携式电子产品、电池供电设备中，用于节能开关控制或负载隔离。 4. 放大器电路：在低频模拟电路中作为电压控制开关或可变电阻使用。 5. 工业控制系统：用于小型继电器驱动、传感器信号切换等低功率控制场合。 该器件采用 TO-39 封装，具备较好的热稳定性和可靠性，适合通孔插装工艺，在早期的电子设备中有较广泛应用。尽管其性能指标相对现代MOSFET略显落后，但在一些对成本和兼容性要求较高的老型号设备中仍具有应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3N163-2 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 欧姆 @ 100µA， 20V |
| 供应商器件封装 | TO-72 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50mA （Ta） |
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