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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK64N50Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK64N50Q3价格参考。IXYSIXFK64N50Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK64N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK64N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK64N50Q3是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单型号的功率器件。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 工业电源:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和逆变器等应用,提供高效的电力转换与控制。 2. 电机驱动:可用于工业自动化设备中的电机驱动电路,支持高效、稳定的电机运行控制。 3. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,IXFK64N50Q3能够用于太阳能光伏系统的逆变器中,实现高效的能量转换。 4. 不间断电源(UPS):该器件可以用于UPS系统中,确保在主电源中断时提供稳定可靠的备用电源输出。 5. 电动车及混合动力车:在电动车或混合动力车的电控单元中,这款MOSFET可以用于电池管理系统和电机控制器中,提高能效并减少损耗。 6. 家电产品:如空调、冰箱等家用电器中,IXFK64N50Q3可用于变频控制电路,提升产品的能效表现。 7. 通信设备:在通信基站和其他通信设备中,作为功率开关元件,提供快速切换和低损耗的性能。 IXFK64N50Q3具有高电压耐受能力(50V系列)和低导通电阻特性,适合需要高效功率转换和低热损耗的应用场合。其优异的电气性能和可靠性使其成为多种功率电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 64A TO-264MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 64 A |
Id-连续漏极电流 | 64 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK64N50Q3HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFK64N50Q3 |
Pd-PowerDissipation | 1000 W |
Pd-功率耗散 | 1 kW |
Qg-GateCharge | 145 nC |
Qg-栅极电荷 | 145 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 250 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6950pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 32A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
功率-最大值 | 1000W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | HiPerFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 85 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | TO-264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 25 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 64 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 64A (Tc) |
系列 | IXFK64N50 |
配置 | Single |