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  • 型号: RTR025N05TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RTR025N05TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR025N05TL价格参考。ROHM SemiconductorRTR025N05TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RTR025N05TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTR025N05TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RTR025N05TL是一款N沟道MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域:

1. 电源管理:该器件适合用于DC-DC转换器、开关模式电源(SMPS)和负载开关等电路中,能够高效地控制电流流动,降低功耗。

2. 电机驱动:在小型电机控制中,RTR025N05TL可以作为功率级开关元件,用于实现PWM调速或方向控制,常见于风扇、泵或玩具电机等应用。

3. 电池保护与管理:可用于锂电池保护电路中,充当充放电路径的开关,防止过流、短路或过度放电对电池造成损害。

4. 负载切换:在需要快速开启或关闭负载的应用中,例如汽车电子中的灯光控制或信息娱乐系统,此MOSFET能提供可靠的切换功能。

5. 信号隔离与接口:用作固态继电器的一部分,实现输入输出信号的电气隔离,同时减少传统机械继电器带来的噪音和磨损问题。

6. 消费类电子产品:如便携式设备、家用电器内的功率调节部分,确保高效能运作并延长产品续航时间。

总之,RTR025N05TL凭借其优异性能,在需要高效功率转换和精确电流控制的各种工业、商业及消费类产品中均有广泛应用潜力。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 2.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTR025N05TL-

数据手册

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产品型号

RTR025N05TL

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

3.2 nC

Qg-栅极电荷

3.2 nC

RdsOn-漏源导通电阻

95 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

45 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 2.5A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT3

其它名称

RTR025N05TLCT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

95 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TSMT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

45 V

漏极连续电流

2.5 A

漏源极电压(Vdss)

45V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A (Ta)

配置

Single

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