Datasheet下载- 型号： STI14NM65N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI14NM65N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI14NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTI14NM65N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI14NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI14NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STI14NM65N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有650V的漏源击穿电压和14A的连续漏极电流能力，适用于中高功率的开关应用。 典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、智能手机等设备的AC-DC电源转换电路中，作为主开关管使用，具备高效率和低导通损耗的特点。 2. 工业电源与DC-DC转换器：在工业控制设备和通信系统中，用于DC-DC变换电路，实现电压调节和能量高效传输。 3. 电机驱动与逆变器：适用于小型电机控制、无刷直流电机驱动以及逆变器系统，具备快速开关能力和良好的热稳定性。 4. 照明系统：如LED路灯或工业照明的电源模块中，用于高频开关电源设计，提升能效并减小系统体积。 5. 家电控制：用于变频空调、洗衣机等家电的功率控制模块，实现节能与精确控制。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合多种应用场景，具备良好的性价比和可靠性，是中高功率应用中的常用器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI14NM65N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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